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体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试结构,进行测试,并对锁定现象作对比分析,提出了优化设计的途径.
利用微电子测试图形研究CMOS IC的锁定效应
【摘 要】
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体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试
【机 构】
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电子科学技术系,电子科学技术系,电子科学技术系上海第二工业大学可靠性研究室工作
【出 处】
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华东师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1993年3期
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