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三菱电机公司目前已开发出采用0.18μm设计规范的256Mb SDRAM 5个产品，现已开始出售样品。rn 近来，作为高端服务工作站等信息设备的性能不断提高，对于影响这些系统性能的主存DRAM来说，要求具有更大的容量和更快的速度。在这种情况下，为了适应下一代最高数据的传送，开发出了2.1Gb/s的256Mb DDR SDRAM。同时还开发出了133MHz工作(与PC133相应)的256MbSDRAM，并已出了样品。rn 作为今后开发目标，则是寻求更大容量(512Mb)和更高速度(2.7Gb/s级的数据传送速度)的产品。rn 产品的主要特点如下：rn (1)实现了最高2.1Gb/s的数据传输速度。rn 采用0.18μm高速度CMOS工艺和通过让时钟上沿和下沿使数据输入输出同步，对于外部的时钟频率来说，实现了2倍的数据传送速度。对于外部时钟133MHz频率而言，其数据传输速度可能达到266MHz(→256MbDDR DRAM)。rn (2)采用SSTL－2。rn 电源电压为2.5V时，作为高速小振幅接口电路，在DDR等的传输速度较快的存储器中采用了最恰当的SSTL－2(－256MbDDR SDRAM)。rn (3)在同一枚芯片上实现DDR SDRAM和SDRAM。rn 在硅圆片工艺的后半部分，实现了采用金属掩模的DDR与SDR的转换。这样一来，对于市场要求就可迅速适应。rn 生产数量，从2000年4月起，开始批量生产5万个/月，至2000年下半年月产可达50万个水平。本产品的面世，可使个人计算机等所需的主存储器容量更大和速度更高。rnrnrn(万红)