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室温下，利用磁控溅射在P型Si（100）衬底上沉积了Cu膜。利用原子力显微镜（AFM）对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测，研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程。随着沉积的进行，Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大；核长大增高为岛状，岛与岛相互连接构成岛的通道，最后形成连续膜。在溅射到15s时，发现奇异现象。