基于国产GaN HEMT器件的星载高效固放设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gjpttkl
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介绍了一种L波段星载高效固态功放,对其中末级功率放大器的设计、固放热设计以及技术指标进行了详细阐述。末级功率放大器基于国产GaN HEMT器件,采用一种紧凑型的F类设计技术,输出功率大于48dBm,功率附加效率大于70%。对固态功放进行了60°C条件下的热仿真,微波功率管工作结温满足航天降额要求。功放测试结果表明:在工作带宽100 MHz内,连续波输出功率大于47.2dBm,效率大于52%;在温度范围-20°C~60°C条件下,输出功率稳定度小于0.2dB,群时延变化小于0.
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