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西方测定了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参烤，即激子束缚能ΔＥ＾（１）ｅｘ＝（０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径αｅｘ＝０．３２６ｎｍ，禁带宽度Ｅｇ＝（５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上，论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中，同时，揭示了在低温下ＣｓｘＣｕ１－ｘＩ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。