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以界面势垒对碳纳米管（CNT）场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为：Fowler-Nordheim（F-N）曲线分为两部分，高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒对场发射的影响：低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率，界面势垒对场发射不起阻碍作用，场发射