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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，在200oC的衬底温度下，以SiH4和GeH4为反应气体，H2和He为稀释气体，制备微晶硅锗（μc-Si1-xGex：H）薄膜。结合Raman，XRF，FTIR，AFM等测试，我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量（Ge含量～40％）μc—Si1-xGex：H薄膜结构性能和光电特性的影响。结果表明，随着He稀释／H：稀释（CHe/H2=He／H2）的增加，薄膜的Ge含量基本保持不变，H含量减少，致密度提高，Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大。CHe