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为了研究半导体激光器端面抽运激光晶体产生的热效应问题，采用解析分析的方法研究端面抽运激光晶体的温升以及热形变量的大小。通过激光晶体工作特点分析，考虑到Nd：GdVO4晶体热传导各向异性的特点，采用各向异性传热的Poisson方程，得出了超高斯光束端面抽运Nd：GdVO4晶体温度场以及热形变场的一般解析表达式。并定量分析了超高斯光束不同阶次、不同光斑尺寸抽运时对于Nd：GdVO4晶体温度场以及热形变场的影响。结果表明，若半导体激光器的输出功率为30W，光学聚焦耦合器传输效率为85％，5阶超高斯光束沿中心端面