工艺因素对水热电泳沉积硅酸钇涂层显微结构的影响

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采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层。研究了沉积电流密度和低温热处理对硅酸钇涂层的影响。采用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成和显微结构进行了表征。结果表明:采用声化学法制备的硅酸钇微晶颗粒尺寸为25~40nm。随着沉积电流密度增加,硅酸钇涂层均匀性、致密性先逐渐增加后降低。当电流密度超过0.04A/cm2时会导致涂层表面开裂。进行低温热处理,涂层表面硅酸钇纳米晶出现熔融现象;随热处理温度增加,涂层表面呈现玻璃化趋势。当热处理温度达1200℃时,表面完全熔融,形成致密的硅酸钇玻璃层。涂层在1500℃静态空气中,经过氧化10h后,失重仍然小于2%。
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