MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究

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【摘要】

：

研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比研究表明：从稀氯化物体系（200mT）中获得的

【作者】

：

汪红丁桂甫戴旭涵苏宇锋张永华王志民

【机构】

：

上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2006年11期

【关键词】

：

MEMS器件 CoNiMnP永磁体薄膜磁性能掩膜电沉积 MEMS CoNiMnP permanent magnetic thin film microli

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研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比研究表明：从稀氯化物体系（200mT）中获得的Co52.4Ni11.9Mn0．4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能：He=208790A／m，Br=0．2T，（BH）tmax=10．15kJ／m^3，且脆性小、内应力较低。进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co（110）面上存在织构所致。在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵

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