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对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂，浸蚀时间，材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验．结果表明，在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20g（FeCl3）：5ml（HCl）：100ml（H2O）时会有蚀坑产生；蚀坑密度（EPD）随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大，当达到一定程度时会趋于饱和；铜单晶线材中（111）面EDP值高于（100）面；经过扫描电镜观察，判定该蚀坑为位错蚀坑，铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间，变形量以及晶体学取向有关。