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低温电力电子技术的发展日益得到重视，主要是由于功率器件（如功率MOSFET和IGBT等）在低温下表现出更好的性能，如更低的通态阻抗，更高的开关频率等．为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能，急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路．我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上，从中挑选了三种在低温下进行实验，对其输出波形随温度的变化进行研究，首次发现了可以在-196℃（77K）稳定工作的驱动芯片，其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求，为功率器件低温特性测试及低温功率变换