【摘 要】
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采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(
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采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(漏电流为30mA 时)。30GHz 下,噪声系数为4dB,相应增益为5dB,最大有用增益为8dB。测得的噪声系数是迄今所报导的最好值。本工作证明,GaAsMESFET 能够在毫米波范围工作。
A 0.25μm gate low noise GaAsFET has been developed by etching the gate electrode and reducing the parasitic resistance of the source gate by electron beam lithography. At 18GHz, the noise figure is 1.9dB with a corresponding gain of 7dB (leakage current of 10mA) and a maximum useful gain of 11dB (leakage current of 30mA). At 30GHz, the noise figure is 4dB, the corresponding gain is 5dB and the maximum useful gain is 8dB. The measured noise figure is the best reported to date. This work proves that GaAsMESFET can work in the millimeter wave range.
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