【摘 要】
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ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测器件中。在第三代半导体材料中,相比GaN材料
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测器件中。在第三代半导体材料中,相比GaN材料,ZnO展现出较为突出的优点,如高光学增益,高辐射硬度,简便的制备方法。但是ZnO基光电器件仍存在p型制备困难,高结晶质量ZnO难以制备,高结晶质量的p-GaN是迄今为止与ZnO晶格匹配度最高的材料,从而开展了关于ZnO/GaN异质结的大量科学研究。本文对ZnO/GaN异质结发光方面的进展进行了总结,通过分析其载流子传输的机制,
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