AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kusoyi

【摘要】

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利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与

【作者】

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林兆军赵建芝张敏

【机构】

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山东大学物理与微电子学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年z1期

【关键词】

：

ALGAN/GAN HFET 阈值电压 C-V曲线

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利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.

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