【摘 要】
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利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列（silicon nanoporous pillar array（简称Si—NPA））上制备了复合纳米薄膜Au／Si—NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示，Au／Si—NPA的开启电场为约2V／μ
【机 构】
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河南工业大学理学院,郑州大学物理系
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利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列（silicon nanoporous pillar array（简称Si—NPA））上制备了复合纳米薄膜Au／Si—NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示，Au／Si—NPA的开启电场为约2V／μm；在7．59V／μm的外加电场下，其发射电流密度为67μA／cm^2；在外加电压2000V时，其电流浮动率为21％。导致Au／Si—NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。
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