【摘 要】
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提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电.该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成.采用
【机 构】
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北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室,北京100192;北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京100192
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提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电.该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成.采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应.电路采用UMC 55 nm工艺设计实现,使用Spectre软件进行了仿真验证.仿真结果表明,当负载电流以10 ps的跳变边沿在0～10 mA范围变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为109 mV、153 mV.在输入电压2～3.6 V范围内,线性调整率和负载调整率分别为2.6 mV·V-1和0.5 mV· mA-1.
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