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用密度泛函理论（DFT），在B3LYP／6-31＋G（d，p）水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2[R=H，OH，NH2，SH，PH2，F，C1，Br，（NHCH）2，CH3，（CH）2]的影响．研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化．碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强，R2C的单-三态能量差越大，π电子的反极化效应就越强，使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显，从而使得弯曲结构更稳定．和前人的计算相比，碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对