【摘 要】
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文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分
【机 构】
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文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
In this paper, AlxGa1-xN / GaN distributed Bragg reflector (DBR) with different compositions was fabricated on (0001) oriented sapphire substrates using MOCVD method and high quality GaN as buffer layer. The structure, thickness and surface morphology of A lxGa1-xN / GaN DBR were investigated by XRD, SEM, AFM and reflection spectroscopy.
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