【摘 要】
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采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑（Sb）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结
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采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑（Sb）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱（PL）研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
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