退火对ZnO薄膜质量的影响

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【摘要】

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用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的

【作者】

：

董鑫刘大力闫小龙张源涛杜国同高忠民

【机构】

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吉林大学电子科学与工程学院

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

蓝宝石氧化锌薄膜金属有机化学气相沉积 X射线衍射退火 sapphire ZnO films MOCVD XRD annealing

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用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响.通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显.光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强.

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