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提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。
p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计
【摘 要】
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提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林大学材料科学与工程学院,吉林大学物理学院教学中心,吉林大学电子科学与工程学院
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2004年3期
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