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报道了一种自对准InP／InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件，其峰值共射直流增益超过300，残余电压约为0．16V，膝点电压仅为0．6V，而击穿电压约为6V,器件的截至频率达到80GHz，最大震荡频率为40GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用。