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采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFTS），研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明：氩氧分压比为40／16和40／8时制得的ZnO-TFT样品，都存在氧过量现象，生长晶向都存在一定左偏移，有源层沟道都为n型，均工作在增强型模式下，饱和特性都较好，且都呈现出一个较大的负方向漏电流，但氩氧分压比为40／16时制备的ZnO薄膜结晶性更好，其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比，以及更低的亚阈值摆幅。