【摘 要】
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通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进行研究,试图从理论角度探寻合适的光催化材
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院
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通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进行研究,试图从理论角度探寻合适的光催化材料.计算结果表明,空间群为Pccn的正交LiBiO3为直接半导体,DFT计算带隙为0.23 eV,而采用HSE泛函形式的计算带隙为1.18 eV,较为接近实验测定值.随着Sb掺杂量的增加,LiBi1-xSbx O3的计算带隙逐渐加大,与纯LiBiO3相比,Sb掺杂体系中出现了具有更强键合作用的Sb-O键,有利于改善体系的光催化性能.
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