a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cys_1688

【摘要】

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采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱

【作者】

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马忠元韩培高李伟陈三钱波徐骏徐岭黄信凡陈坤基

【机构】

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南京大学固体微结构物理国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

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a-Si:H/SiO2多层膜 NC-SI 光致发光

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60508009,90301009,60471021,50472066,10574069),国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2004410)资助项目

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采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H

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