【摘 要】
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用电子束蒸发方法在ITO基片上生长YAGG：Tb，Gd荧光薄膜，并经不同条件下退火处理。分别用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱，表征YAGG：Tb，Od荧光薄膜的结构、
【机 构】
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光电信息技术教育部重点实验室现代光学研究所南开大学,天津市光电显示材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家“973”计划资助项目(2003CB314906);天津市自然科学基金资助项目(07JCYBJC06400)
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用电子束蒸发方法在ITO基片上生长YAGG：Tb，Gd荧光薄膜，并经不同条件下退火处理。分别用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱，表征YAGG：Tb，Od荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。实验表明随着温度的升高，薄膜的结晶程度提高，弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷，提高了薄膜的光致发光性能，同时发现光致发光谱中的谱线加宽。
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