【摘 要】
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基于双环路控制构建推挽结构,增强了功率管栅端的摆率,改善了无片外电容LDO的瞬态响应.此外,结合A类复合放大器特性,降低了功率管栅端阻抗,有利于提升LDO的频率稳定性.该LDO
【机 构】
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电子科技大学 微电子与固体电子学院,成都,610054
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基于双环路控制构建推挽结构,增强了功率管栅端的摆率,改善了无片外电容LDO的瞬态响应.此外,结合A类复合放大器特性,降低了功率管栅端阻抗,有利于提升LDO的频率稳定性.该LDO输入电压范围为2.0~3.5V,输出电压为1.8V,最大负载电流为100 mA.当负载电流在1μs内从100 μA跳变到100 mA以及从100 mA跳变到100μA时,最大下冲电压为128 mV,最大上冲电压为170 mV,建立时间分别为2.5 μs和2.4 μs,电路工作时消耗的静态电流仅为12.6μA.
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