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在高压中小功率容量应用领域中，新一代功率器件的发展和推陈出新具有明显的特征，即在正向导通压降、击穿电压和开关频率之间进行平衡以获得最优化的组合。最近推向市场的ESBTTM，即发射极开关双性晶体管（Emitter Switched Bipolar Transistor），代表了功率器件的一个新的产品系列，特别适合于高压高开关频率应用领域。在简单介绍发射极开关原理及其从离散到积分方程的推演之后，本文还介绍了和有效基极驱动方法有关的全部知识，因此本文也能为功率变换器设计工程师提供有益的帮助。