TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shuiwadandan

【摘要】

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从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析,推导出了各种正栅压和漏压

【作者】

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张海鹏魏同立宋安飞

【机构】

：

杭州电子工业学院,东南大学微电子中心

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

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SOI PMOSFET 导电机理漏电流二维解析模型薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管 SOI PMOSFET current-cond

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从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型,为高温TF AM SOI PMOSFET和CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础,也为设计高温SOI PMOSFET和CMOS数字电路提供了一定的理论依据.

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