【摘 要】
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研究了在SrTiO3-PbTiO3 系中添加Bi(Mg1/2Ti1/2)O3(BMT)对材料进行A 和B 位的掺杂,添加量对介电性能及它的储能的影响.实验表明当添加Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 的摩尔分数6％时,在
【机 构】
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华中科技大学光学与电子信息学院,电子信息材料教育部重点实验室,武汉430074
【出 处】
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第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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研究了在SrTiO3-PbTiO3 系中添加Bi(Mg1/2Ti1/2)O3(BMT)对材料进行A 和B 位的掺杂,添加量对介电性能及它的储能的影响.实验表明当添加Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 的摩尔分数6％时,在1270℃的温度下烧结获得了性能为：介电常数εr=1980,耐压Ek=14.94kV/mm,在110kV/cm 下测得的储能密度E=0.544J/cm3 的高压陶瓷电容器储能材料.
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