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采用气相法对BaTi03陶瓷扩渗Gd元素，使BaTi03陶瓷的导电性发生了显著变化，其室温电阻率从4．O×10^12∩·m下降为2．76×10^3∩·m，而且随着频率增大和温度升高，交流电导逐渐增大，BaTi03陶瓷的导电性更强。Gd扩渗后BaTi03陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化．呈现NTCR效应，而晶界电阻随着温度的变化，呈现PTCR效应，且晶界电阻远远大于晶粒电阻，说明该材料的PTCR效应是由晶界效应引起的。Gd扩渗使BaTi03陶瓷的介电常数显著降低，且随频率