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期刊论文
Ka波段PHEMT功率放大器
Ka波段PHEMT功率放大器
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:simon20088
【摘 要】
:
报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作.单级的MIC放大器采用0.3 mm栅宽的PHE
【作 者】
:
陈新宇
高建峰
王军贤
陈效建
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2001年4期
【关键词】
:
赝配高电子迁移率晶体管
功率放大器
KA波段
PHEMTmillimeter wavepower amplifier
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报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作.单级的MIC放大器采用0.3 mm栅宽的PHEMT,在34 GHz处,输出功率100 mW,功率增益4 dB.
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