【摘 要】
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利用表面等离子体共振技术进行电介质样品成像研究.采用高数值孔径显微物镜作为耦合元件，632.8 nm HeNe激光会聚激发金膜产生表面等离子体共振，通过狭缝光阑限制光束入射角，对金膜上的氮化硅光栅进行成像.反射光由放置在样品像方共轭面上的CCD摄像机接收，获得样品的表面等离子体共振像.通过扫描移动狭缝，得到入射角从44°至54°的扫描样品图像，从图像中提取样品各点的表面等离子体共振曲线，由计算机重构出样品的表面等离子体共振角谱灰度图.
【机 构】
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黑龙江大学电子工程学院黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080圣安德鲁斯大学物理系,圣安德鲁斯,KY169SS
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利用表面等离子体共振技术进行电介质样品成像研究.采用高数值孔径显微物镜作为耦合元件，632.8 nm HeNe激光会聚激发金膜产生表面等离子体共振，通过狭缝光阑限制光束入射角，对金膜上的氮化硅光栅进行成像.反射光由放置在样品像方共轭面上的CCD摄像机接收，获得样品的表面等离子体共振像.通过扫描移动狭缝，得到入射角从44°至54°的扫描样品图像，从图像中提取样品各点的表面等离子体共振曲线，由计算机重构出样品的表面等离子体共振角谱灰度图.
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