【摘 要】
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采用电子背散射衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)对冷拔<110>单晶铜的织构和微观组织进行了分析.为了考察初始取向对冷拔铜线材形变组织和织构的影响,<110>试验结果并与冷拔<
【机 构】
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西安工业大学材料与化工学院; 西北工业大学应用物理系;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:50901055,50771076);陕西省教育厅科研专项(批准号:07JK274)资助
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采用电子背散射衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)对冷拔<110>单晶铜的织构和微观组织进行了分析.为了考察初始取向对冷拔铜线材形变组织和织构的影响,<110>试验结果并与冷拔<100>和<111>单晶铜的结果进行了对比.发现与<100>和<110>单晶铜相比,<110>单晶铜晶粒分裂更加明显,在冷拔过程中迅速形成<100>+<111>织构.但高应变下,由于剪切应力的影响,<100>和<111>织构组分沿线材径向的分布并不均匀,<100>织构绝大部分分布在试样表面,<111>则主要分布于试样中心.冷拔<110>单晶铜的微观组织研究结果表明,在低应变情况下,可表征为两类非晶体学几何必须位错界面,随变形量的增加,大量S带开始出现,高应变时,绝大部分位错界面已与冷拔方向平行,形成薄片状组织.与<100>和<111>单晶铜相比,冷拔<110>单晶铜的几何必须位错界面的平均失配角和平均间距更大.由于<110>单晶铜中同一织构组分内仍能形成高角度界面,在位错界面失配角分布图中很快形成双峰分布.
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