论文部分内容阅读
利用脉冲激光沉积（PLD）法在si（111）衬底上分别生长了ZnO薄膜和cu薄膜，用cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明：样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；当Cu和ZnO直接接触时，样品的，-y特性是非线性的；当cu和ZnO之间通过ZnO：Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2／3。本研究为价格低廉的cu电极成为ZnO基器件的欧