【摘 要】
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提出并设计了一个2．4GHz低噪声放大器，该放大器采用TSMC 0.25μm RFCMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比，该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振，使整个电路的线性度、噪声
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,杭州中科微电子有限公司
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提出并设计了一个2．4GHz低噪声放大器，该放大器采用TSMC 0.25μm RFCMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比，该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振，使整个电路的线性度、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为17dB，NF为1．35dB，IIP3为8．1dBm，功耗为16mW，且输入输出阻抗匹配良好，满足无线接收机射频前端对高线性度低噪声放大器的要求。
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