【摘 要】
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介绍了铜/低介电常数介电层的双嵌入式工艺,该工艺已大规模应用于动态记忆存储器(DRAM)和逻辑电路器件中。
The dual embedded technology of copper / low dielectric cons
【机 构】
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应用材料中国公司,应用材料中国公司 上海201203,上海201203
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介绍了铜/低介电常数介电层的双嵌入式工艺,该工艺已大规模应用于动态记忆存储器(DRAM)和逻辑电路器件中。
The dual embedded technology of copper / low dielectric constant dielectric layer is introduced, which has been widely used in dynamic memory memory (DRAM) and logic circuit devices.
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