【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料，设计并优化外延生长条件，探索单层N型GaN（N—GaN）、多量子阱（MQW）、电子阻挡层（P—AlGaN）、P型GaN（P—GaN）材料对发光二
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,北京工业大学激光工程研究院
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采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料，设计并优化外延生长条件，探索单层N型GaN（N—GaN）、多量子阱（MQW）、电子阻挡层（P—AlGaN）、P型GaN（P—GaN）材料对发光二极管（LED）器件的光电性能的影响。通过X射线衍射仪（XRD）、电致发光谱（EL）、光致发光谱（PL）等测试设备对外延片进行表征。结果表明：经优化Si掺N—GaN和垒层（QB），获得较好的（102）、（002）半峰宽，正向电压从4．46V分别降至3．85V、3．47V，发光强度从4．86mV提高到6．
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