【摘 要】
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对VBIC BJT模型用于Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAs HBT模型,并用于该类器件建模.测量
【基金项目】
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国防科技重点实验室基金(No.51491010105DZ0401);浙江省重大国际合作项目(No.2004C14004)资助课题
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对VBIC BJT模型用于Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAs HBT模型,并用于该类器件建模.测量和模型仿真Ⅰ-Ⅴ特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征.运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能.
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