【摘 要】
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为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5%(质量分数)、甘氨酸2%(质量分数)和FAOA非离子表面
【基金项目】
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国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助(2016ZX02301003-004-007)
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为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5%(质量分数)、甘氨酸2%(质量分数)和FAOA非离子表面活性剂5mL/L组成的基础碱性抛光液(pH=8.5)中加入不同质量分数的H2O2和1,2,4−三氮唑(TAZ)。研究了H2O2和TAZ的配比对铜膜CMP台阶高度修正能力的影响。结果表明,H2O2过量时,不仅不利于提高铜膜表面台阶高度修正能力,反而会起到反作用。适当增大TAZ的用量则对台阶高度的修正能力有积极的效果。含0.
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