北京慢正电子强束流性能研究

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采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究.实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5 mm.在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15 mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10 eV;在高于3×10-7Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内存贮40 ms后,束流强度减弱到原来的50%.系统各项性能运行参数达到了设计要求.
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