【摘 要】
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自1970年发明MOS工艺及73年推出CMOS工艺以来,至今还没有发现可替代它的工艺,足见CMOS工艺的经济合理性。因此,至今硅基材料的应用仍在继续延伸。然而,在晶体管工艺制造中采
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自1970年发明MOS工艺及73年推出CMOS工艺以来,至今还没有发现可替代它的工艺,足见CMOS工艺的经济合理性。因此,至今硅基材料的应用仍在继续延伸。然而,在晶体管工艺制造中采用二氧化硅作为栅极材料,实质上已逼近极限。如65纳米工艺时,二氧化硅栅极的厚度己降低至1.2纳米,约5个硅原子层厚度,如果再继续缩小,将导致漏电及功耗急剧上升。
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