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以硫酸溶液为电解质，采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜，孔径为20nm，孔间距为50nm左右，孔洞密度为4．5×10^10个／cm^2．以此多孔膜为模板，脉冲电压电化学沉积制备金属Fe纳米线阵列，单根纳米线直径为20nm，Rietveld拟合表明纳米线择优取向为Fe（110）晶面，择优取向因子为0．30．磁滞回线结果表明，垂直于膜面的方向为易磁化方向，当磁场垂直于膜面时，矩形比高达0．914，矫顽力为1656Oe．