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用扫描电子显微镜（sEM）对多孔硅的结构进行了分析．结果显示多孔硅具有分形特性，同计算机模拟结果一致；用荧光光谱仪，研究了多孔硅的荧光特性与激发波长的依赖关系．激发光谱测量结果发现，当激发波长从650nm变到340nm时，荧光谱峰位从红端780nm连续蓝移到500nm．综合分析说明：正是由于多孔硅的分形微结构以及量子限制效应，导致了多孔硅的荧光特性随激发波长改变的物理现象．