Si纳米结构的制备及其热稳定性

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wodeziyuan

【摘要】

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研究了纳米尺寸Si结构的热稳定性.采用Ga聚焦离子束技术在单晶硅表面刻蚀出纳米尺寸的条形光栅结构,在流动的Ar气氛保护下进行恒温热退火,用扫描电子显微镜和原子力显微镜分

【作者】

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谢东珠 B.K.A.Ngoi

【机构】

：

上海师范大学数理信息学院,PrecisionEngineeringandNanotechnologyCenter

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

聚焦离子束纳米结构热稳定性 Focused ion beam Nanostructure Thermal stability

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研究了纳米尺寸Si结构的热稳定性.采用Ga聚焦离子束技术在单晶硅表面刻蚀出纳米尺寸的条形光栅结构,在流动的Ar气氛保护下进行恒温热退火,用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了热退火后的结构变化.实验结果表明在较高的退火温度下纳米尺寸的硅结构是不稳定的,其尺寸由于热扩散而变小,同时在Si表面有镓析出并形成纳米颗粒.

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