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采用Ga在SiO2/Si系扩散途径，对扩Ga硅片进行了俄歇分析，在P型区未发现重金属杂质，表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用，而且有利于提高硅器件的电参数性能，稳定性和可靠性。
p型扩散区（SiO2／Si系扩Ga）的俄歇分析
【摘 要】
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采用Ga在SiO2/Si系扩散途径，对扩Ga硅片进行了俄歇分析，在P型区未发现重金属杂质，表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用，而且有利于提高硅器件的电参数性能，稳定性和可靠
【机 构】
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山东师范大学,济南半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年10期
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