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采用直流反应磁控溅射法制备晶种层薄膜，研究O2／Ar气体分压比和退火温度对晶种层结构和微观形貌的影响。通过化学水浴沉积，在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构，研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响。结果表明，当O2／Ar中O2分压减少，薄膜均匀性较差，当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整。退火温度增加，晶粒尺寸增大，内应力降低。磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长，（002）晶面的衍射峰强最高，说明纳米棒沿c轴择优取向。生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著，随着生长液浓度的