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介绍了硅片双面研磨的目的．重点分析了不同工艺参数对硅片研磨速率及表面质量的影响。通过不同粒径磨料的对比试验，得出减小磨料粒径能够有效改善硅片表面质量，减小损伤层深度，为后道抛光工序去除量的减少提供了条件，并且对实际生产工艺具有指导意义。同时分析了助磨剂在提高硅片表面质量中的作用。
硅片双面研磨加工技术研究
【摘 要】
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介绍了硅片双面研磨的目的．重点分析了不同工艺参数对硅片研磨速率及表面质量的影响。通过不同粒径磨料的对比试验，得出减小磨料粒径能够有效改善硅片表面质量，减小损伤层深度，为
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2008年12期
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