化学气相浸渗/反应法制备MoSi2-SiC涂层的合成机理及其氧化性能

来源 :中国有色金属学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mmllpp000

【摘要】

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采用化学气相浸渗/反应法（CVI/CVR）在C/C复合材料表面制备MoSi2-SiC防氧化涂层。首先,制备多孔金属Mo层,然后以甲基三氯硅烷（MTS）为前驱体,利用CVI/CVR技术制备MoSi2-SiC复合涂层

【作者】

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何子博李贺军史小红付前刚吴恒

【机构】

：

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

【出处】

：

中国有色金属学报：英文版

【发表日期】

：

2013年7期

【关键词】

：

MoSi2-SiC涂层沉积温度 MTS原始分压氧化性能 MoSi2-SiC coating deposition temperature initial

【基金项目】

：

Projects（51221001,51272213,51072166）supported by the National Natural Science Foundation of China, Project（GBKY1021）supported by the Fundamental Research Foundation of Northwestern Polytechnical Unive

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采用化学气相浸渗/反应法（CVI/CVR）在C/C复合材料表面制备MoSi2-SiC防氧化涂层。首先,制备多孔金属Mo层,然后以甲基三氯硅烷（MTS）为前驱体,利用CVI/CVR技术制备MoSi2-SiC复合涂层。采用XRD、SEM技术研究MoSi2-SiC复合涂层的制备机理,并考察涂层样品的抗氧化性能。结果表明,MTS分解的SiC填充了多孔金属Mo层中的孔隙,并与金属Mo发生反应,制备出致密的MoSi2-SiC复合涂层;在优化工艺条件下所得到的涂层样品在1500°C空气中氧化80h后质量损失仅

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